ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРИ ДЛЯ КОНТАКТНОГО СПОСОБУ ЗНЯТТЯ ДІАГНОСТИЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ В МЕТОДІ ВЛАСНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ

Автор(и)

  • Vasyl V. Kuzavkov Військовий інститут телекомунікацій та інформатизації Державного університету телекомунікацій, Україна
  • Serhii M. Kononenko Національний університет оборони України імені Івана Черняховського, Україна
  • Yevhen O. Sudnikov Національний університет оборони України імені Івана Черняховського, Україна

DOI:

https://doi.org/10.33099/2311-7249/2015-0-1(22)-68-73

Ключові слова:

датчик температури, діагностична інформація, метод власного випромінювання.

Анотація

Розглянуто основні характеристики датчиків температури, сукупність яких дозволяє порівнювати датчики між собою та цілеспрямовано обирати найбільш відповідні поставленим завданням, достоїнства та недоліки напівпровідникових датчиків температури (діоди, транзистори) зміна концентрації носіїв заряду в яких приводить до зміни струму, що протікає через напівпровідниковий прилад, температурних датчиків на основі автоєпитаксиальних та гетероєпітаксиальних структур. Крім того, розглянуто особливості виміру діагностичного параметру (температури) в методі власного випромінювання, через контакт двох поверхонь (поверхня радіоелектронного компоненту (РЕК) – пристрій зняття діагностичної інформації). Цей метод застосовано для локалізації несправного РЕК в складі цифрового блоку сучасної радіоелектронної техніки (РЕТ) засобами автономної автоматизованої системи діагностування (АА СД).

Біографія автора

Vasyl V. Kuzavkov, Військовий інститут телекомунікацій та інформатизації Державного університету телекомунікацій

канд. техн. наук, доцент

Посилання

Trofymov N.A., Lappo V.V. (1979), Measurement of thermal processes in the nuclear power industry. [Izmerenie parametrov teplofizicheskih processov v jadernoj jenergetike], Мoscow, Atomizdat, 224 p.

Koptev Yu.N., Bahdateva E.E., Horysha A.V., Malkova Ya.V. (1998), The sensors of thermal and mechanical parameters. [Datchyky teplofyzycheskykh y mekhanycheskykh parametrov], Spravochnyk, t.1, kn.1, М. YPZhR, 458 p.

Fedotov Ya.A. (1969), Fundamentals of Physics of Semiconductor Devices. [Osnovy fiziki poluprovodnikovyh priborov], Moscow, Sov.radyo, 592 p.

Fohelson Y.B. (1972), Transistor thermal sensors. [Tranzistornye termodatchiki], Мoscow, Sov.radyo, 129 p.

Hordov A.N., Zhahullo O.M., Yvanova A. N. (1992), Fundamentals of temperature measurements. [Osnovy temperaturnyh izmerenij]. Мoscow, Jenergoatomizdat, 302 p.

Sheftel Y.T. (1973), Thermistors. [Termorezistory]. Мoscow, Nauka, 415 p.

Mallon I., Germantion D., (1970), Advances in high temperature solid pressure transducers, Adv. In Instrum, v.25, part 2.

Papkov V.S., Cybul'nikov M.B. (1979), Epitaxial silicon layers on dielectric substrates and devices based on them. [Jepitaksial'nye kremnievye sloi na dijelektricheskih podlozhkah i pribory na ih osnove], Мoscow, Jenergija, 90 p.

Sukhanova N.N., Sukhanov V.Y., Yurovskyi A.Ya. (1999), Semiconductor thermocouples with an extended range of operating temperatures. Sensors and systems. [Poluprovodnikovye termopreobrazovateli s rasshirennym diapazonom rabochih temperatur. Datchiki i sistemy], vol.7, p. 8.

http://www.alldatasheet.com/view.jspDS1821.

Vyshnivskyi V.V., Kuzavkov V.V., Redziuk Ye.V. (2013), Thermography as means of passive control of a technical condition of electronic circuits. [Termohrafiia yak zasib pasyvnoho kontroliu tekhnichnoho stanu radioelektronnykh skhem], Viiskovyi instytut telekomunikatsii ta informatyzatsii Derzhavnoho universytetu telekomunikatsii, VII-y Naukovo-praktychnyi seminar „Priorytetni napriamky rozvytku telekomunikatsiinykh system ta merezh spetsialnoho pryznachennia” Kyiv, 86 p.

Vavylov V.P. (1984), Thermal methods of control composite structures and electronics products. [Teplovye metody kontrolja kompozicionnyh struktur i izdelij radiojelektroniki], Moscow, Radyo y sviaz, 162 p.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-04-30

Номер

Розділ

Теоретичні основи створення і використання інформаційних технологій