Умови застосування методу власного випромінювання при вирішенні задач технічної діагностики напівпровідникових структур

Автор(и)

  • Василь Кузавков Військовий інститут телекомунікацій та інформатизації імені Героїв Крут, Україна https://orcid.org/0000-0002-0655-9759
  • Марія Романенко Військовий інститут телекомунікацій та інформатизації імені Героїв Крут, Україна https://orcid.org/0000-0002-0646-2797
  • Юлія Болотюк Військовий інститут телекомунікацій та інформатизації імені Героїв Крут, Україна https://orcid.org/0000-0002-3805-6419

DOI:

https://doi.org/10.33099/2311-7249/2021-42-3-55-62

Ключові слова:

метод власного випромінювання, час реєстрації діагностичного параметру, радіоелектронне обладнання, велика інтегральна схема

Анотація

В статті розглянуто особливості застосування методу власного випромінювання для складних напівпровідникових структур (мікропроцесорів, мікроконтролерів, програмовано-логіних інтегральних схемах та ін.)

Метод власного випромінювання пов’язаний з реєстрацією параметрів електромагнітного поля в інфрачервоному діапазоні хвиль. Параметри цього випромінювання безпосередньо залежать від температури об’єкту контролю – температури напівпровідникової структури. Використання температури в якості діагностичного параметру вимагає аналітичного опису процесів в напівпровідникових структурах, а саме фізико-хімічних процесів пов’язаних з термодинамічними властивостями кристалічної структури та поверхні, яка ізолює кристал від зовнішнього середовища.

З метою активації функціональних вузлів, які входять до складу великих інтегральних схем в запропонованому методі використовується спеціально підготовлена тестова послідовність. Довжина зазначеної послідовності повинна забезпечити вихід температурного процесу на сталий режим. Однак, при цьому можливе спотворення діагностичної інформації внаслідок взаємного впливу температури від сусідніх функціональних вузлів. В роботі визначено час реєстрації (довжину активуючого впливу) діагностичного параметру окремих функціональних вузлів. Проаналізовано умови розповсюдження тепла в ізолюючому шарі напівпровідникової структури, яка містить в собі декілька окремих функціональних вузлів з відомим геометричним місцем розташування на підложці.

Дослідження спрямовані на вирішення задач технічного діагностування, а саме: визначення фактичного технічного стану цифрового радіоелектронного обладнання та прогнозування технічного стану.

Посилання

Кузавков В.В., Гайдур Г.І., Сєрих С.О. Аналіз структури напівпровідникових радіоелектронних компонентів для розв’язування задачі нестаціонарної теплопровідності в багатошаровому об’єкті. Журнал ДУТ: Зв’язок. Київ, 2014. №3. С. 44-47.

Кузавков В.В., Романенко М.М. Аналіз фізичних можливостей теплового моніторингу як методу оцінки фактичного стану цифрових радіоелектронних об’єктів. Науково-практичний журнал ДНДІ МВС України: Сучасна спеціальна техніка. Київ, 2020. № 2 (61). С. 34-46.

Романенко М.М. Спосіб реєстрації діагностичної інформації для контролю технічного стану радіоелектронного обладнання. Пріоритетні напрямки розвитку телекомунікаційних систем та мереж спеціального призначення: збірник наукових праць ХІІІ науково-практичної конференції 03.12.2020. Київ: ВІТІ, 2020. С. 236-237.

Кузавков В.В., Романенко М.М. Методика вимірювання діагностичного параметру визначення технічного стану складних напівпровідникових структур. Науково-практичний журнал ДНДІ МВС України: Сучасна спеціальна техніка. Київ, 2021. № 1 (64). С. 54-70.

Романенко М.М. Застосування тепловізійних систем для реєстрації діагностичного параметра в методі власного випромінювання. Проблеми інформатизації: збірник тез доповідей VIII Міжнародної науково-технічної конференції 26-27.11.2020. Черкаси – Харків – Баку – Бельсько-Бяла. Том 3. Секція 5-7. 2020. С. 107. URL: http://kist.ntu.edu.ua/konferencii/ 26_konf_2020.pdf.

Кузавков В.В., Романенко М.М. Аналіз теплових моделей дослідження деградації напівпровідникових структур. Збірник наукових праць ВІТІ. №2. Київ, 2020. С. 35-42.

Кузавков В.В., Гайдур Г.І., Сєрих С.О. Діагностична модель р-n (n-р) переходу для методу власного випромінювання. Телекомунікаційні та інформаційні технології: науковий журнал. Київ: ДУТ, 2015, №1 С.39-43.

Кузавков В.В. Забезпечення робочого режиму радіоелектронних компонентів у методі власного випромінювання. Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні: науково-технічний збірник. Київ: НТУУ “КПІ”, 2015. №1 (29). С. 97-101.

Кузавков В.В., Гайдур Г.І. Час локалізації несправного радіоелектронного компоненту методом власного випромінювання. Актуальні проблеми розвитку науки і техніки: збірник тез доповідей І міжнародної науково-технічна конференції. Київ: ДУТ, 2015. С. 101-104.

Кузавков В.В., Романенко М.М. Тепловий неруйнівний контроль складних напівпровідникових структур радіоелектронного обладнання. Збірник наукових праць ВІТІ. Київ, 2019. №2. С. 38-44.

Кузавков В.В., Янковський О.Г. Застосування методу власного випромінювання для технічної діагностики радіоелектронних блоків. Збірник наукових праць ОДАТРЯ. Одеса, 2014. №2 (5). С. 58-62.

R. Cochran, A. N. Nowroz and S. Reda. Post-silicon power characterization using thermal infrared emissions. ACM:IEEE International Symposium on Low-Power Electronics and Design (ISLPED). 2010, pp. 331-336. doi: URL: https://scale.engin.brown.edu/pdfs/islped10.pdf.

Reda K., Dev and A. Belouchrani. Blind Identification of Thermal Models and Power Sources From Thermal Measurements: IEEE Sensors Journal. vol. 18, no. 2, pp. 680-691. 2018. doi: 10.1109/ JSEN. 2017.2774704. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8113493/figures#figures.

Клюев В.В., Вавилов В.П. Неразрушающий контроль. Тепловой контроль: книга 1. М.: Машиностроение, 2006. Том 5. 688 с. ISBN 5-217-03364-9.

Чернозубов Ю. С. Как рождаются микросхемы: книга. М.: Просвещение, 1989. 128 с. ISBN 5-09-001314-1.

Лебецкий Д. И. Технология производства процессоров. URL: https://rep.bntu.by/bitstream/ handle/data/26857/%D0%A1.%20363-367.pdf? seque nce=1.

Энциклопедия по машиностроению XXL: фрагменты и выдержки с книги. С. 189-193: URL https://mash-xxl.info/page/ 14709016518720218 105208145222011220142228148241/.

Технологія виробництва епоксидних смол. Хімія: курсова робота. URL: http://4ua.co.ua/chemistry/xa3ad78a5d 43b89421206d37_0.html.

ГОСТ Р 54844-2011 Микросхемы интегральные. Основные размеры URL: https://www.rts-tender.ru/poisk/gost/r-54844-2011.

##submission.downloads##

Опубліковано

2021-12-17

Номер

Розділ

Інтелектуальні ІТ та робототехніка у сфері безпеки та оборони